Научный потенциал вуза - производству и образованию
Электронный научный журнал
Вход в Личный портфель
О журнале Номера журнала Поиск Правила для авторов  
II Международная научно-практическая конференция студентов, аспирантов, преподавателей

Материалы докладов участников заочного этапа конференции будут размещены в срок до 18 октября 2018 года в журналах 3(1)-3(4) за 2018 г. в соответствии с заявленной секцией конференции


№ 3(1) 2018 г.

Секция 1: «Прикладные вопросы физико-математических наук»

 

№ 3(2) 2018 г.

Секция 2. «Прикладные вопросы естественных наук»

 

№ 3(3) 2018 г.

Секция 3. «Прикладные вопросы информатики и программирования»

 

№ 3(4) 2018 г.

Секция 4. «Формирование информационной образовательной среды в процессе изучения дисциплин естественно-математического цикла»
Главная / Номера журналов / № 3(1), 2018

Технические науки
РАСЧЁТ МАКСИМАЛЬНО ДОПУСТИМОЙ ЧАСТОТЫ УПРАВЛЕНИЯ MOSFET ТРАНЗИСТОРОМ
Фисенко О.И. 1, Паврозин А.В. 2

1. Армавирский механико-технологический институт (филиал) ФГБОУ ВО «Кубанский государственный технологический университет»
2. Армавирский механико-технологический институт (филиал) ФГБОУ ВО «Кубанский государственный технологический университет»

Abstract  |   Полнотекстовый файл

Резюме:

в статье приведён расчёт максимально допустимой частоты управления mosfet транзистором портом ввода-вывода микроконтроллера

Ключевые слова: микроконтроллер, MOSFET транзистор, входная ёмкость

Библиографическая ссылка

Фисенко О.И., Паврозин А.В. РАСЧЁТ МАКСИМАЛЬНО ДОПУСТИМОЙ ЧАСТОТЫ УПРАВЛЕНИЯ MOSFET ТРАНЗИСТОРОМ // Научный потенциал вуза - производству и образованию. – 2018. – № 3(1);
URL: amti.esrae.ru/20-202 (дата обращения: 05.06.2023).

Просмотры статьи

Сегодня: 216 | За неделю: 216 | Всего: 327

Сайт работает на RAE Editorial System